Le BS170 est un transistor MOSFET à canal N très populaire dans les circuits électroniques pour la commutation ou le pilotage de charges à basse tension.

Caractéristiques principales

• Type : N‑channel MOSFET

• Tension drain-source maximale (Vds) : 60 V

• Courant maximal de drain (Id) : 500 mA (continu)

• Résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) : typiquement 5 Ω

• Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 à 4 V

• Boîtier : TO‑92 (version standard)