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FGH40N60SFD

FGH40N60SFD

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Détails

FGH40N60SFD est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour les applications industrielles de puissance, combinant la commande facile d’un MOSFET et la capacité de courant élevé d’un transistor bipolaire.

🔧 Caractéristiques principales

  • Type : IGBT canal N

  • Tension collecteur-émetteur maximale (Vce) : 600 V

  • Courant collecteur continu (Ic) : 40 A

  • Boîtier : TO-247

  • Commande gate : similaire à un MOSFET, faible courant de commande

  • Application : moyenne fréquence, haute puissance

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