FGL40N120 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour gérer des tensions et courants élevés avec une combinaison de faible perte en conduction et commutation rapide, idéal pour les applications industrielles de puissance.

Caractéristiques principales

• Type : IGBT canal N

• Tension collecteur-émetteur maximale (Vce) : 1200 V

• Courant collecteur continu (Ic) : 40 A

• Boîtier : TO-247

• Fréquence de commutation : moyenne, adaptée aux convertisseurs et onduleurs

• Rds équivalent faible : combine les avantages MOSFET pour la commande et les avantages bipolaires pour le courant