ترانزستور FQPF12N60C هو موسفت ذو قناة N (N-Channel MOSFET) مصمم للعمل مع الجهد العالي والقدرة المتوسطة، ويستخدم تقنية DMOS المتقدمة من شركة Fairchild (المملوكة حالياً لشركة onsemi) لتقليل مقاومة التشغيل وتحسين أداء التبديل. 
onsemi +1
المواصفات الفنية الأساسية
- نوع القناة: N-Channel (N-قناة).
- أقصى جهد بين المصرف والمصدر (
): 600 فولت. - التيار المستمر للمصرف (
): 12 أمبير (عند درجة حرارة 25 مئوية). - مقاومة التشغيل القصوى (
): 0.65 أوم (650 مللي أوم) عند جهد بوابة 10 فولت. - تبديد الطاقة الأقصى (
): 51 واط. - جهد عتبة البوابة (
): يتراوح عادة بين 2.0 إلى 4.0 فولت. - نوع العبوة (Package): TO-220F (وهي نسخة معزولة تماماً من عبوة TO-220 التقليدية).