FQPF20N60C est un MOSFET canal N de puissance conçu pour les applications nécessitant commutation rapide et support de haute tension, souvent utilisé dans les alimentations à découpage, convertisseurs et circuits de puissance industrielle.

🔧 Caractéristiques principales

• Type : MOSFET canal N

• Tension Drain-Source (Vds) : 600 V

• Courant Drain continu (Id) : 20 A

• Résistance Rds(on) : ~0,75 Ω

• Tension Gate-Source max (Vgs) : ±20 V

• Boîtier : TO-220