الترانزستور FQPF8N60C هو موسفت (MOSFET) من النوع N-Channel عالي الجهد، يُستخدم بشكل أساسي في دوائر تبديل الطاقة (Switched Mode Power Supplies) وتصحيح معامل القدرة (PFC). 
Al-Hekmh Electronics +1
المواصفات الفنية الرئيسية (عند درجة حرارة 25° مئوية):
- أقصى جهد بين الدراين والسورس (Vds): 600 فولت.
- تيار الدراين المستمر (Id): 7.5 أمبير.
- أقصى جهد بين الغيت والسورس (Vgs): ±30 فولت.
- المقاومة عند التشغيل (RDS(on)): حوالي 1.2 أوم (بحد أقصى) عند جهد غيت 10 فولت.
- تبديد الطاقة (Pd): 48 واط.
- نوع العبوة (Package): TO-220F (وهي عبوة معزولة بالكامل لتسهيل التركيب على المبردات الحرارية دون الحاجة لعوازل إضافية).
Prozic +5