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IRF640N

IRF640N

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Détails

📌 Définition

Le IRF640N est un transistor MOSFET canal N conçu pour des applications de haute tension. Il est très utilisé dans les alimentations, amplificateurs et circuits de commutation.

⚙️ Caractéristiques principales

  • Type : MOSFET canal N
  • Tension Drain-Source (Vds) : 200 V
  • Courant Drain (Id) : ≈ 18 A
  • Résistance Rds(on) : ~0.15 Ω
  • Boîtier : TO-220
  • Commande : tension sur la Gate (Grille)

🔌 Brochage (Pinout)

  1. Gate (G) → commande
  2. Drain (D) → charge
  3. Source (S) → masse (GND) 

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