IRF9Z24N est un MOSFET à canal P conçu pour les applications de commutation de puissance, souvent utilisé en complément de MOSFET canal N dans les circuits en demi-pont ou pont complet, ainsi que pour l’inversion de polarité et le contrôle de charges DC.

🔧 Caractéristiques principales

• Type : MOSFET canal P

• Tension Drain-Source (Vds) : 55 V

• Courant Drain continu (Id) : 17 A

• Résistance Rds(on) typique : ~0,075 Ω

• Tension Gate-Source max (Vgs) : ±20 V

• Boîtier : TO-220