IRFB4410 est un transistor MOSFET à canal N conçu pour commuter de fortes puissances avec une faible résistance à l’état passant (Rds(on)) et des temps de commutation rapides.

Caractéristiques principales

• Type : MOSFET canal N

• Tension drain-source maximale (Vds) : 100 V

• Courant drain continu (Id) : 110 A (avec refroidissement adéquat)

• Rds(on) typique : 0,022 Ω (très faible, faible perte en conduction)

• Tension de seuil (Vgs(th)) : 2–4 V

• Boîtier : TO-220