IRFB5620 est un MOSFET canal N haute puissance utilisé pour des applications nécessitant courant très élevé et faible résistance interne, comme les convertisseurs DC-DC et les contrôleurs de moteurs.

🔧 Caractéristiques principales

• Type : MOSFET canal N

• Tension Drain-Source (Vds) : 200 V

• Courant Drain (Id) : jusqu’à 59 A

• Résistance Rds(on) : environ 0,039 Ω

• Tension Gate-Source max (Vgs) : ±20 V

• Boîtier : TO-220