IRFP260N est un MOSFET canal N haute puissance conçu pour les applications nécessitant tension élevée et fort courant, comme les onduleurs, convertisseurs DC-DC et alimentations à découpage.

🔧 Caractéristiques principales

• Type : MOSFET canal N

• Tension Drain-Source (Vds) : 200 V

• Courant Drain continu (Id) : 50 A (avec refroidissement adéquat)

• Résistance Rds(on) typique : ~0,04 Ω

• Tension Gate-Source max (Vgs) : ±20 V

• Boîtier : TO-247