RJP30E2 هو ترانزستور IGBT من نوع N-Channel، يتميز بتقنية الخندق (Trench gate)، مصمم للتبديل عالي السرعة (high speed switching) والتطبيقات عالية الطاقة مثل التحكم في المحركات، وأجهزة التلفزيون (Plasma TVs)، ومزودات الطاقة. يعمل بجهد  إلى وتيار إلى ، ويأتي غالباً في حزمة TO-220FL المعزولة. KomposantsElectronik +4

المواصفات الفنية الرئيسية (RJP30E2):

• النوع: N-Channel IGBT
• جهد المجمع-المشع (Vces):  -  (حسب المصدر)
• تيار المجمع (Ic):  -
• الجهد المشبع ():  (نموذجي)
• سرعة التبديل ():  (نموذجي)
• الحزمة: TO-220FL / TO-220F
• درجة حرارة التشغيل:  إلى  

المميزات والاستخدامات:

• تقنية خندق عالية الكفاءة (G5H series)
• تيار تسريب منخفض (Low leakage current)
• مثالي لتطبيقات التبديل السريع 

يعتبر هذا الترانزستور مناسباً جداً لإصلاحات الشاشات (Plasma/LCD) والدوائر الإلكترونية التي تتطلب تبديلاً سريعاً وموثوقاً للتيارات العالية.