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RJP63F3

RJP63F3

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RJP63F3

RJP63F3 is a high-power IGBT transistor from Rohm, designed for medium- to high-voltage power switching in industrial and consumer electronics. It is similar to RJP63K2 but optimized for faster switching and slightly different current/voltage ratings.

Main Specifications

  • Type: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • Collector-Emitter Voltage (Vce): 600 V

  • Collector Current (Ic): 63 A continuous

  • Pulse Current (Icm): ~200 A

  • Gate-Emitter Voltage (Vge): ±20 V


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